Vélbúnaður PECVD kvikmyndamyndunar
May 08, 2024| Vélbúnaður PECVD kvikmyndamyndunar
• SiNx einangrunarfilma: Blandan af SiH4, N2 og NH3 er notuð sem hvarfgasið og kvikmyndin myndast á undirlaginu með glóðútskrift sem myndar plasma.
• Si:H: SiH4 gas er losað með ljóma í hvarfhólfinu og eftir röð frum- og aukahvarfa myndast flóknari hvarfefni eins og jónir og virkir barnahópar og loks myndast A-Si :H filma og sett á undirlagið. Sumar hlutlausar vörur, eins og SiHn(n:0~3), taka beinan þátt í vexti filmunnar.
Þegar filman er að stækka, ef fyrsta filmumyndandi ferlið er tekið, munu gallarnir í filmuvaxtarferlinu halda áfram að vaxa meðfram filmumyndandi áttinni og afhjúpa þannig yfirborðið.
Á sama tíma, vegna þess að gallar á lághraða filmumyndun eru minni en við háhraða filmumyndun, til að fá þétta A-Si :H filmu (gerum ráð fyrir 2000 A) í Bottom Gate vélbúnaðinum, er hægt að ná því með því að fyrst að vaxa 300A á litlum hraða og síðan 1700 A á miklum hraða. Þar sem 300 A er TFT rásin (sumir gallanna af völdum fyrsta þrepsins falla undir annað þrepið). Tveggja þrepa filmumyndunaraðferðin er einnig hægt að nota til framleiðslu á einangrunarlögum.
IKS PVD fyrirtæki, skreytingarhúðunarvél, verkfærahúðunarvél, DLC húðunarvél, sjónhúðunarvél, PVD tómarúmhúðunarlína, turn-key verkefnið er í boði. Hafðu samband við okkur núna, tölvupóst: iks.pvd@foxmail.com